NEXPERIA
Транзистор PSMN018-80YS,115
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 80 V
- Drain current
- 45 A
- Рассеиваемая мощность
- 89 W
- Корпус
- LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 036 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%260,68 ₽
Сумма · с НДС 22%260,68 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 260,68 ₽ | |
| от 10 | 217,54 ₽ | |
| от 25 | 193,16 ₽ | |
| от 100 | 163,16 ₽ | |
| от 250 | 144,40 ₽ | |
| от 500 | 129,40 ₽ | |
| от 1000 | 116,27 ₽ | |
| от 1500 | 108,77 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | PSMN018-80YS,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 80 V |
| Drain current | 45 A |
| Рассеиваемая мощность | 89 W |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 43 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 26nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.