NEXPERIA

Транзистор PSMN016-100YS,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 51 A
Pulsed drain current: 204 A
Power dissipation: 117 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PSMN016-100YS,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	51 A
Pulsed drain current	204 A
Power dissipation	117 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	12.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	54nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; Idm: 204A; 117W

Документация

Документы пока не предоставлены.