Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN015-100B,118

PSMN015-100B,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
75A
Power dissipation
300W
Корпус
D2PAK, SOT404
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN015-100B,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current75A
Power dissipation300W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20V
On-state resistance40.5mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404

Документация

Документ производителя