NEXPERIA

Транзистор PSMN014-80YLX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 44 A
Pulsed drain current: 250 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PSMN014-80YLX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	44 A
Pulsed drain current	250 A
Power dissipation	147 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	38 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	56.9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 44A; Idm: 250A; 147W

Документация

Документы пока не предоставлены.