Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN013-80YS,115

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
60A
Pulsed drain current
233A
Power dissipation
106W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN013-80YS,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current60A
Pulsed drain current233A
Power dissipation106W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20V
On-state resistance9.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 233A; 106W

Документация

Документы пока не предоставлены.