Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN010-80YLX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
84 A
Pulsed drain current
336 A
Power dissipation
194 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPSMN010-80YLX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current84 A
Pulsed drain current336 A
Power dissipation194 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge84.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 336A; 194W

Документация

Документы пока не предоставлены.