Антава

NEXPERIA

Транзистор PSMN009-100B,118

PSMN009-100B,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
75 A
Pulsed drain current
400 A
Power dissipation
230 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMN009-100B,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current75 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation230 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge156nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; Idm: 400A; 230W

Документация

Документы пока не предоставлены.