Антава

PANJIT

Транзистор PSMB055N08NS1_R2_00601

PSMB055N08NS1_R2_00601
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
108 A
Pulsed drain current
360 A
Рассеиваемая мощность
113.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPSMB055N08NS1_R2_00601
ПроизводительPANJIT
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current108 A
Pulsed drain current360 A
Рассеиваемая мощность113.6 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge65.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.