PANJIT

Диод PS150P-D32_R1_00301

DFN2Изображение корпуса

Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.5 V
Max. forward impulse current: 10 A
Semiconductor structure: bidirectional
Монтаж: SMD — поверхностный
Корпус: DFN2

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PS150P-D32_R1_00301
Производитель	PANJIT
Type of diode	TVS
Breakdown voltage	29.5 V
Max. forward impulse current	10 A
Semiconductor structure	bidirectional
Монтаж	SMD — поверхностный
Корпус	DFN2
Max. off-state voltage	28 V
Leakage current	0.5 µA
Количество каналов	1
Ёмкость	0.6 pF

Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 29.5V; 10A; bidirectional; DFN2; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.