NEXPERIA

Транзистор PMZB350UPE,315

DFN1006B-3, SOT883BИзображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -700 mA
Pulsed drain current: -2.8 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMZB350UPE,315
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-700 mA
Pulsed drain current	-2.8 A
Корпус	DFN1006B-3, SOT883B
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	645 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1.9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.