Антава

NEXPERIA

Транзистор PMZB290UNE2YL

PMZB290UNE2YL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.8 A
Pulsed drain current
4 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMZB290UNE2YL
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.8 A
Pulsed drain current4 A
Power dissipation0.35 W
КорпусDFN1006B-3, SOT883B
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 0.8A; Idm: 4A; 350mW

Документация

Документы пока не предоставлены.