NEXPERIA

Транзистор PMZB200UNEYL

DFN1006B-3, SOT883BИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 0.9 A
Pulsed drain current: 5 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMZB200UNEYL
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	0.9 A
Pulsed drain current	5 A
Корпус	DFN1006B-3, SOT883B
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	410 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.7nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 5A

Документация

Документы пока не предоставлены.