NEXPERIA

Транзистор PMZ950UPEYL

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.3A
Pulsed drain current: -2A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMZ950UPEYL
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-0.3A
Pulsed drain current	-2A
Корпус	DFN1006-3, SOT883
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	2.1Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.1nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.