Антава

NEXPERIA

Транзистор PMZ600UNEZ

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
0.4 A
Pulsed drain current
2.5 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMZ600UNEZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current0.4 A
Pulsed drain current2.5 A
КорпусDFN1006-3, SOT883
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.