Антава

NEXPERIA

Транзистор PMZ370UNEYL

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.56 A
Pulsed drain current
3.6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMZ370UNEYL
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.56 A
Pulsed drain current3.6 A
КорпусDFN1006-3, SOT883
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance860 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 560mA; Idm: 3.6A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.