NEXPERIA

Транзистор PMXB75UPEZ

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -12A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMXB75UPEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-1.9A
Pulsed drain current	-12A
Корпус	DFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	0.122Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	12nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -12A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.