NEXPERIA

Транзистор PMXB65ENEZ

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 2.5 A
Pulsed drain current: 12.8 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMXB65ENEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	2.5 A
Pulsed drain current	12.8 A
Корпус	DFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	0.107 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	11nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.5A; Idm: 12.8A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.