Антава

NEXPERIA

Транзистор PMXB43UNEZ

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
2.3 A
Pulsed drain current
12.8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMXB43UNEZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current2.3 A
Pulsed drain current12.8 A
КорпусDFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance83 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.3A; Idm: 12.8A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.