Антава

NEXPERIA

Транзистор PMXB40UNEZ

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
12 V
Drain current
2.5 A
Pulsed drain current
15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMXB40UNEZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12 V
Drain current2.5 A
Pulsed drain current15 A
КорпусDFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance67 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 12V; 2.5A; Idm: 15A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.