NEXPERIA

Транзистор PMXB350UPEZ

DFN1010D-3, SOT1215Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -1 A
Pulsed drain current: -5 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMXB350UPEZ
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-1 A
Pulsed drain current	-5 A
Корпус	DFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	0.65 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	2.3nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.