NEXPERIA

Транзистор PMV75UP,215

PMV75UP,215

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -1.6 A
Pulsed drain current: -10 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMV75UP,215
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-1.6 A
Pulsed drain current	-10 A
Корпус	SOT23, TO236AB
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	146 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -10A

Документация

Документы пока не предоставлены.