Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV65XPVL

PMV65XPVL
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.8 A
Pulsed drain current
-16 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMV65XPVL
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.8 A
Pulsed drain current-16 A
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance0.105 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A

Документация

Документы пока не предоставлены.