Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV65XP,215

PMV65XP,215
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-1.8 A
Power dissipation
833 mW
Корпус
SOT23, TO236AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMV65XP,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-1.8 A
Power dissipation833 mW
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance135 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB

Документация

Документ производителя