Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV60ENEAR

PMV60ENEAR
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
2.1 A
Pulsed drain current
12 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMV60ENEAR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current2.1 A
Pulsed drain current12 A
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance143 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 2.1A; Idm: 12A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.