Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV55ENEAR

PMV55ENEAR
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
12.6 A
Power dissipation
8.36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMV55ENEAR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2 A
Pulsed drain current12.6 A
Power dissipation8.36 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslogic level
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12.6A; 8.36W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.