Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV50UPE,215

PMV50UPE,215
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-2 A
Pulsed drain current
-12.8 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMV50UPE,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-2 A
Pulsed drain current-12.8 A
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance96 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -2A; Idm: -12.8A

Документация

Документы пока не предоставлены.