Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV30XPAR

PMV30XPAR
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-3.1A
Pulsed drain current
-20A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMV30XPAR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-3.1A
Pulsed drain current-20A
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±12V
On-state resistance53mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -20A

Документация

Документы пока не предоставлены.