NEXPERIA
Транзистор PMV28ENEAR
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- Trench
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 3.1 A
- Pulsed drain current
- 18 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | PMV28ENEAR |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | Trench |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 3.1 A |
| Pulsed drain current | 18 A |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 64 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 18A; ESD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.