NEXPERIA

Транзистор PMV240SPR

PMV240SPR

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100 V
Drain current: -800 mA
Pulsed drain current: -5 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMV240SPR
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-100 V
Drain current	-800 mA
Pulsed drain current	-5 A
Корпус	SOT23, TO236AB
Gate-source voltage	±25 V
On-state resistance	840 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -800mA; Idm: -5A

Документация

Документы пока не предоставлены.