NEXPERIA
Транзистор PMV20ENR
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 3.8 A
- Power dissipation
- 1.2 W
- Корпус
- SOT23, TO236AB
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | PMV20ENR |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 3.8 A |
| Power dissipation | 1.2 W |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 34 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 10.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.8A; 1.2W; SOT23,TO236AB
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.