Антава

NEXPERIA

Транзистор PMV19XNEAR

PMV19XNEAR
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
3.8 A
Pulsed drain current
24 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMV19XNEAR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current3.8 A
Pulsed drain current24 A
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance48 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 3.8A; Idm: 24A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.