NEXPERIA

Транзистор PMV100EPAR

PMV100EPAR

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60 V
Drain current: -1.4 A
Pulsed drain current: -9 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMV100EPAR
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60 V
Drain current	-1.4 A
Pulsed drain current	-9 A
Корпус	SOT23, TO236AB
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	276 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	17nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.4A; Idm: -9A

Документация

Документы пока не предоставлены.