Антава

NEXPERIA

Транзистор PMT280ENEAX

PMT280ENEAX
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1 A
Pulsed drain current
6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMT280ENEAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1 A
Pulsed drain current6 A
КорпусSC73, SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance847 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 1A; Idm: 6A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.