Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB95ENEAX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
1.8 A
Pulsed drain current
11.2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMPB95ENEAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current1.8 A
Pulsed drain current11.2 A
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance202 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 1.8A; Idm: 11.2A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.