NEXPERIA

Транзистор PMPB95ENEA/FX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11.2A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB95ENEA/FX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80V
Drain current	1.8A
Pulsed drain current	11.2A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	202mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	14.9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 1.8A; Idm: 11.2A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.