NEXPERIA

Транзистор PMPB8XNX

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20 V
Drain current: 6.4 A
Pulsed drain current: 40 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB8XNX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	20 V
Drain current	6.4 A
Pulsed drain current	40 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	19 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 6.4A; Idm: 40A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.