Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB85ENEA/FX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
1.9A
Pulsed drain current
12A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMPB85ENEA/FX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current1.9A
Pulsed drain current12A
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.175Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.9A; Idm: 12A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.