NEXPERIA

Транзистор PMPB47XP,115

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -2.5 A
Pulsed drain current: -16 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB47XP,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-2.5 A
Pulsed drain current	-16 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	88 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	21nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -2.5A; Idm: -16A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.