NEXPERIA

Транзистор PMPB33XP,115

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -3.5 A
Pulsed drain current: -22 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB33XP,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-3.5 A
Pulsed drain current	-22 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	56 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -22A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.