NEXPERIA

Транзистор PMPB30XPEX

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Pulsed drain current: -25A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB30XPEX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-3.9A
Pulsed drain current	-25A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	-12...8V
On-state resistance	52mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	19nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.9A; Idm: -25A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.