NEXPERIA

Транзистор PMPB27EPAX

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -3.9 A
Pulsed drain current: -25 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB27EPAX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-3.9 A
Pulsed drain current	-25 A
Power dissipation	1.7 W
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	45 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	45nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.