NEXPERIA

Транзистор PMPB24EPX

DFN2020MD-6, SOT1220Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -4.1 A
Pulsed drain current: -26 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	PMPB24EPX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-4.1 A
Pulsed drain current	-26 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	43 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	28nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -26A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.