Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB215ENEA/FX

PMPB215ENEA/FX
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
1.2 A
Pulsed drain current
7.6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMPB215ENEA/FX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current1.2 A
Pulsed drain current7.6 A
Power dissipation1.6 W
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
On-state resistance445 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge7.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 1.2A; Idm: 7.6A; 1.6W

Документация

Документы пока не предоставлены.