NEXPERIA

Транзистор PMPB20EN,115

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 4.6 A
Pulsed drain current: 30 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB20EN,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	4.6 A
Pulsed drain current	30 A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	32 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	10.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 30A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.