NEXPERIA

Транзистор PMPB16EPX

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -30A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB16EPX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-4.7A
Pulsed drain current	-30A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±25V
On-state resistance	34mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	44nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -30A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.