Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB15XN,115

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.6 A
Pulsed drain current
24 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMPB15XN,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.6 A
Pulsed drain current24 A
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.6A; Idm: 24A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.