NEXPERIA

Транзистор PMPB14XPX

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.4A
Pulsed drain current: -35A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	PMPB14XPX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-5.4A
Pulsed drain current	-35A
Корпус	DFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	24mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	42nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Version	ESD

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -5.4A; Idm: -35A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.