Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB14XNX

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
5.1 A
Pulsed drain current
33 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяPMPB14XNX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current5.1 A
Pulsed drain current33 A
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance29 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 5.1A; Idm: 33A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.