Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB13XNEAX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
5A
Pulsed drain current
32A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMPB13XNEAX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current5A
Pulsed drain current32A
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage±8V
On-state resistance27mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.