Антава

NEXPERIA

Транзистор PMPB10XNX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
6 A
Pulsed drain current
38 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяPMPB10XNX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current6 A
Pulsed drain current38 A
КорпусDFN2020MD-6, SOT1220
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 6A; Idm: 38A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.